Scientific direction Development of key enabling technologies
Transfer of knowledge to industry

Programme de stages

Optimisation électrique des flancs verticaux des tranchées dans les micro-LED GaN par implantation ionique

DOPT

Optique et optronique - Optique et optronique

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

BAC+4/5

7010

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : hubert.bono@cea.fr

Amélioration des défauts post-gravure des tranchées d'isolation de pixels de LED GaN. Ces améliorations concernent l'amélioration des courants de fuite de la jonction et/ou la qualité des contacts électriques. Il s'agira d'optimiser des paramètres d'implantation ionique et les recuits thermiques post-implantation. Pour candidater, merci d'envoyer directement CV+LM à hubert.bono@cea.fr

Analyse de défectivité de micro-écran LED par cartographie de luminance

DOPT

Optique et optronique - Optique et optronique

Grenoble

Rhône-Alpes

4-6 mois

BAC+4/5

7009

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : alexandre.lagrange@cea.fr

Les micro écrans sont utilisés pour les domaines de la réalité augmentée (AR), de la projection d'image et de l'éclairage intelligent. Actuellement les produits disponibles utilisent des technologies de LCOS (Liquid Cristal On Silicon) ou OLED (Organic LED). Les nouvelles applications nécessitent des niveaux de luminance bien supérieurs aux niveaux autorisés par ces technologies. Depuis près de 5 ans, le laboratoire LCEM développe des technologie opto-électronique pour la fabrication de micro écran à partir de µLED (Micro LED inorganique en GaN). Celles-ci peuvent offrent des perspectives dépassant d'un facteur x10 à x100 les produits actuels pour atteindre 10^6 cd/m².  La fabrication de ces composants reposent sur la fabrication collectives de µLED (2 à 10 µm de côté) avec les technologies de la micro-électronique. Notre laboratoire est un des pionniers du développements de ces technologies de µLED avec plusieurs publications récompensées dans les conférences internationales. Nous travaillons sur plusieurs contrats industriels pour des applications de micro écrans.  Aujourd'hui, nous commençons à réaliser des composants comportant jusqu'à plus de 1 000 000 de µLED. Les méthodes de caractérisation électro-optiques conventionnelles des µLED doivent évoluer pour permettre l'analyse de l'uniformité des processus technologiques, la calibration des circuits de commande, la qualification de micro écrans complets. Ce type de composant est piloté par un ASIC (Application Specific Integrated Circuit) avec une commande de courant dans chaque pixel (µLED). Les contraintes d'uniformité requises nécessitent une correction pixel à pixel de l'image. Il faut pour cela quantifier la luminance pixel à pixel. Dans ce stage nous proposons de développer une méthode de caractérisation optiques par imagerie. Les points clés sont : * la mise en place d'un banc de microscopie et d'imagerie pixel à pixel full HD. Sur des bancs de tests existant, il s'agit des spécifier et mettre en place une caméra et de contrôler la conjugaison émetteur-imageur. Le format de la caméra doit être choisi pour permettre une résolution suffisante (2 à 10 µm de source) et un champ important (jusqu'à 1600×1200 pixels). * la quantification de la luminance de l'émetteur dans un champ. Il s'agit de faire une mesure photométrique précise avec une grande dynamique (1:100 à 1:1000) en prenant en compte l'ouverture numérique de l'optique, les paramètres de commande de l'imageur et les contraintes spécifiques du microscope. * le traitement automatique d'image pour établir une table de correction . Pour candidater, merci d'envoyer directement CV+LM à alexandre.lagrange@cea.fr

Proof of Stake based Consensus and Leader Election , a comparative study

DILS

Mathématiques, information  scientifique, logiciel - Mathématiques, information  scientifique, logiciel

Saclay

Ile de France

6 mois

7007

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : antonella .delpozzo@cea.fr

Le stage s'’inscrit dans le cadre de travaux menés au sein d'une équipe du CEA LIST qui développe des systèmes d'information coopératifs de confiance (LICIA). L'équipe développe des apllications de type blockchain et s'intéresse aux aspects protocoles distribués dans ce contexte. Le stage se déroulera au sein du LICIA sur le site du CEA à NanoINNOV sur le plateau de Saclay. Les technologies Blockchain pourraient ouvrir des opportunités sans précédent pour la mise en œuvre de processus d'affaires en environnements coopératifs et compétitifs .Chaque fois que nous avons besoin de développer des applications impliquant des entités autonomes géographiquement distribuées qui peuvent avoir des intérêts conflictuels , une blockchain deviendra un "must have" .Bien que prometteuse , la technologie actuelle de la blockchain n'est pas assez mûre pour pouvoir être exploitée dans plusieurs secteurs . Dans le cadre de la conciliation entre les applications envisageables dans l'inconscient collectif d'une part et les applications réalisables grâce aux technologies actuelles de blockchain - les smart contracts - d'autre part , le laboratoire LICIA du CEA/LIST/DILS étudie les moyens de concevoir et de développer des smart contracts ( SLC) certifiées et de confiance par construction .En particulier , l'instauration de la confiance porte sur la formalisation à chaque couche impliquée dans le processus : de la conception de haut niveau jusqu'au protocole de la blockchain. Description du sujet:  Le but de ce stage est de mettre en place un environnement de simulation afin d'analyser les deux solutions ,Ouroboros et Tendermint, en se concentrant sur la façon dont la Proof of Stake est employée .L'objectif est en effet de souligner et d'analyser dans quelles conditions la sécurité et ou les conditions de vie peuvent être violées .En particulier , on s'intéressera à l'impact potentiel de mauvaise configuration de mécanisme de Proof of Stake c'est à dire les occurrences de fork et leur gestion.Le candidat retenu se joindra au laboratoire pour des systèmes d'information fiables , intelligents et auto organisateurs . Le stagiaire aura pour activités : - la préparation de l'état de l'art sur les  blockchains Tendermint et Ouroboros  , - l'élaboration d'un modèle de simulation (avec ses tests automatisés )d'ajout de nouveau bloc en cours d'exécution sur différents nœuds sur les deux approches , - la présentation des conclusions sur la sécurité et ou les garanties de vie , l'établissement des différences effectives que les deux approches apportent aux blockchains. •

Intégration à la plateforme CIVA d'un intersecteur rayon surface.

DISC

Mathématiques, information  scientifique, logiciel - Mathématiques, information  scientifique, logiciel

Saclay

Ile de France

6 mois

7001

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : thibaud.fortuna@cea.fr

 Dans le cadre de la simulation d’inspection en ultrasons, le département travaille sur le développement d'un code semi-analytique basé sur une méthode d’intersection rayon/surface. Actuellement les surfaces utilisées sont des surfaces élémentaires (plan, cylindre, cône, sphère, tore) pour les cas simples, ou des surfaces triangulées pour les cas plus complexes. La triangulation introduit une approximation qui est préjudiciable quand on souhaite une simulation précise. La prise en compte de surfaces NURBS permettrait d’éviter une telle approximation.  L’objectif du stage est d’implémenter et d’intégrer à CIVA un algorithme d’intersection efficace entre un rayon et une surface NURBS. L’étudiant devra au préalable définir les structures de données C++ associées à une surface NURBS et implémenter les services d’évaluation (point, normale, courbure) et de visualisation d’une telle surface. Il effectuera ensuite une recherche bibliographique et choisira un ou plusieurs algorithmes rayon/surface qu’il implémentera en tenant compte de la contrainte d’un environnement multithread. Enfin, il intègrera cet algorithme aux codes de simulation de CIVA et comparera les résultats obtenus avec des surfaces élémentaires (cylindre, cône, etc.) et des surfaces triangulées.

Imagerie thermique tridimensionnelle passive

DOPT

Optique et optronique - Optique et optronique

Grenoble

Rhône-Alpes

6 mois

BAC+4/+5

6993

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : thomas.perrillat-bottonet@cea.fr

Les caméras infrarouges thermiques sont aujourd'hui omniprésentes dans de nombreux secteur d'activités : contrôle industriel, automobile, domotique, défense, ... Afin de suivre l'essor de ces marchés de volume, il existe une forte concurrence pour développer des solutions de matrices de pixels de plus en plus performantes, au pas toujours plus fin et proposant des fonctionnalités optiques nouvelles. C'est dans ce contexte de miniaturisation et d'intégration de solutions au plus proche du plan focal que nous proposons d'étudier la reconstruction d'image tridimensionnelle (3D). Classiquement, l'imagerie 3D peut être réalisée par stéréoscopie, qui consiste en la prise d'au moins deux images à différentes positions et dont la combinaison restitue une information sur la profondeur. D'autres solutions, dîtes « actives », utilisent des sources externes de lumière et permettent, via la la mesure de temps de vol ou via la structuration de l'éclairement, de reconstruire l'information de profondeur. En revanche, ces solutions impliquent une mise en œuvre complexe et/ou l'utilisation de composants nombreux et coûteux, ce qui les positionne hors du contexte. Par ailleurs, il existe une grandeur électromagnétique qui possède une information de profondeur : la phase de l'onde. Les détecteurs à base de microbolomètres sont malheureusement insensibles aux variations de phase et mesurent uniquement les variations d'intensité lumineuse. Cependant, la diffraction en champ proche est un phénomène qui permet de convertir en partie une variation du front d'onde incident en une variation d'intensité. Ainsi en disposant judicieusement des structures diffractives en amont d'un plan focal, tels que des réseaux de diffraction, et en analysant les figures de diffraction résultantes, on peut en théorie reconstruire le front d'onde initial et récupérer une information sur la profondeur. La théorie de la diffraction de Fresnel permet de faire cette correspondance entre front d'onde incident et front d'onde diffracté. Cette approche a déjà été réalisée pour des imageurs dans le visible. Nous souhaiterions explorer cette avenue et ses possibilités dans le cadre de l'imagerie thermique infrarouge pour la bande 8-12µm (LWIR). L'objectif de ce stage est de réaliser une étude théorique sur la possibilité d'adapter un tel dispositif aux cahiers des charges de l'imagerie thermique infrarouge. Après avoir mené une recherche bibliographique approfondie sur le sujet et s'être familiarisé avec la théorie de la diffraction en champ proche, le stagiaire aura pour mission de proposer différentes architectures de structures diffractives, de simuler numériquement leurs comportements et de conclure quant à leurs performances. Pour candidater, merci d'envoyer directement CV+LM à thomas.perrillat-bottonet@cea.fr

Déformation et contrôle des contraintes dans des structures à base de GeSn pour l'amélioration de l'émission de lumière dans le moyen infra-rouge

DOPT

Optique et optronique - Optique et optronique

Grenoble

Rhône-Alpes

4 mois

6991

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : vincent.reboud@cea.fr

Au sein du Département Optique et Photonique, le Laboratoire Composants Photoniques CMOS est un leader mondial dans le développement et la fabrication de composants photoniques Silicium (ou CMOS) pour les communications optiques. La miniaturisation des transistors dans les circuits intégrés, pose de nouveaux défis associés à la saturation en débit et à l'échauffement des interconnexions métalliques utilisées dans les procédés standard. Pour surmonter ce problème, la photonique sur silicium, autrement dit l'intégration de capacités de communication optique à ultra-grande vitesse avec des circuits intégrés CMOS offre des capacités en rupture. En utilisant la lumière à la place des électrons pour porter l'information, les circuits optiques donnent la possibilité de transmettre des données à plus grand débit, tout en supprimant les problèmes de dissipation thermique et en permettant une miniaturisation à l'échelle micrométrique.   Dans le cadre de ces activités, de nouvelles avancées sur les alliages à base de GeSn pourraient mener à terme à la création d'une plateforme photonique Silicon/Germanium totalement compatible avec les technologies CMOS. Suite à la démonstration de l'effet laser à basse température dans des alliages à forte concentration d'étain par des équipes du CEA Grenoble, un des enjeux majeurs actuel est le contrôle des contraintes dans les couches à base de GeSn permettant d'améliorer significativement les propriétés optoélectroniques de sources lumineuses et de photodétecteurs. La personne sélectionnée s'associera aux permanents de l'équipe pour concevoir et caractériser des composants actifs à base de Ge et de GeSn déformés. Des modélisations multi-physiques seront utilisées pour modéliser et optimiser les composants photoniques.  L'objectif du stage est de répondre aux aspects suivants : - de mesurer et de comprendre la dépendance de la déformation de couches tenseurs déposées sur des couches à base de GeSn en fonction des épaisseurs et de la concentration en Sn des différents composants fabriqués. - d'analyser de ces phénomènes de déformation avec des logiciels de simulation. - de proposer des structures ou de règles de conception permettant d'améliorer les performances des composants déformés à base de GeSn. Pour candidater, merci d'envoyer CV+LM à vincent.reboud@cea.fr

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