Scientific direction Development of key enabling technologies
Transfer of knowledge to industry

Programme de stages

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12 proposition(s).

Etudes et Développement de modules PV à base de matériaux recyclés et recyclables

DTS/SMPV/LMPV

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

5 à 6mois

Ingénieur/Master

3382282

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : paul.messaoudi@cea.fr

Le CEATech regroupe les centres CEA dédiés à la recherche technologique et appliquée travaillant principalement au développement des énergies alternatives et renouvelables telles que l'hydrogène, le solaire et les méthodes de stockage thermique et électrique. Le Laboratoire des technologies pour les Modules Photovoltaïques (LMPV) du CEATech faisant partie de l'Institut National de l'Energie Solaire (INES) basé à Chambéry en Savoie est le laboratoire spécialisé dans l'étude, la conception et le développement de nouveaux types de modules photovoltaïques (PV). Les modules PV doivent non seulement produire de l'électricité de façon efficace mais également avoir une durée de vie longue pour amortir les coûts d'investissement et améliorer leur bankabilité. Par contre, la fin de vie des modules PV est aujourd'hui peu étudiée et, bien que les modèles actuels d'Analyse de Cycles de Vie (ACV) estiment que les modules PV sont constitués de près de 85% de matériaux recyclables, les filières de recyclage ne sont pas pleinement opérationnelles. La raison principale est que les procédés de démantèlement des modules PV restent coûteux et difficilement extensibles à l'échelle industrielle. Dans le cadre de ses projets, le LMPV investit dans la recherche et le développement de matériaux recyclables et/ou recyclés qui pourraient constituer les modules PV de demain. Les objectifs du stage seront tout d'abord d'aider les équipes du LMPV à répertorier et analyser les familles de matériaux polymères en fonction de leurs propriétés thermiques, mécaniques et chimiques.Après cette recherche, le stagiaire aura à préparer des modules PV de tests à base de matériaux recyclés et recyclables afin de valider les paramètres des procédés de fabrication.Ensuite le stagiaire aura à définir les méthodes permettant un démantèlement simple de ces modules PV. Les résultats obtenus permettront d'alimenter des modèles d'ACV actualisés. Pour ce faire, le stagiaire aura à sa disposition de nombreuses machines de fabrication et d'essais telles qu'un laminateur de modules PV, des enceintes climatiques et des machines de tests mécaniques (traction, flexion, vibrations). Des connaissances approfondies sont requises dans les matériaux constitutifs du module PV (verre, encapsulants polymères, métaux et silicium). Des notions de métrologie des composants électroniques seront également appréciées.

Etude des propriétés de déshydrogénation de borohydrures métalliques pour le stockage de l’hydrogène

LITEN/DTNM/SENCI/LMSE

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mois

Master

3374749

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : philippe.capron@cea.fr

Le Laboratoire d'Innovation pour les Technologies des Energies nouvelles et les Nanomatériaux (LITEN) du CEA de Grenoble est impliqué dans le développement de technologies d'avenir au service de la transition énergétique. Un des axes stratégiques du développement des énergies renouvelables repose sur les énergies décartonnées et notamment l'hydrogène. Dans ce cadre, nous travaillons sur des solutions de stockage de l'hydrogène. Les hydrures complexes tels que les borohydrures métalliques font partie des candidats potentiels étant donné leur capacité théorique en hydrogène très élevé (>10%). Dans ce cadre, Le laboratoire propose un stage dont le sujet consiste à étudier l'influence des doubles cations sur les propriétés de déshydrogénation de borohydrure métalliques de type XY(BH4)z. Du fait de la grande diversité de ces matériaux, le champ d'investigation sera réduit aux synthèses de borohydrures métalliques à base d'un métal de transition (titane ou manganèse) ou complexe en rajoutant un métal alcalin (lithium ou sodium).Le but du stage consistera donc d'une part à synthétiser des matériaux et à analyser leurs propriétés chimiques, physico-chimiques et thermiques. La première partie du stage sera dédiée à identifier les voies de synthèse par ball-milling ou métathèses de sels en voie liquide et à préparer les composés de façon fiable et reproductible. La deuxième partie sera consacrée à l'analyse des propriétés des matériaux : Analyse chimique (FTIR, RMN…) Analyse structurales et morphologiques (DRX, MEB, EDX…) Analyse thermique : ATG/DSC couplé MS Capacité massique en hydrogène : appareil de Sievert. Ce sujet de stage s'adresse à un étudiant en master 2 chimie ou matériau motivé par un travail expérimental de laboratoire alliant à la fois synthèses et caractérisations de matériaux. Il demande un goût prononcé pour la recherche et le développement. Une poursuite du travail au travers d'une thèse est envisagée avec l'intégration d'expérimentations in-situ et operando utilisant les grands instruments scientifiques autour de la diffusion des neutrons et de la diffraction des rayons X.Le travail de stage s'effectuera à Grenoble au sein du département des Technologies des Nano Matériaux. Le candidat sera amené à travailler avec différents entités du LITEN.

Développement d’une technologie d’interconnexion filaire

DTS/SMPV/LMPV

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mois

Ingénieur/Master

3372921

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : benjamin.commault@cea.fr

Le Laboratoire Modules Photovoltaïques silicium (LMPV) accompagne ses partenaires industriels dans le développement de modules innovants pour des applications spécifiques (forme, poids, intégration, performance, fiabilité) ou utilisant des technologies cellules de nouvelle génération.En particulier, le LMPV travaille sur les procédés d'interconnexion, le choix des matériaux, l'encapsulation, et le dimensionnement des modules (performances optiques et mécaniques principalement). L'objectif principal du stage sera de mettre au point un procédé d’interconnexion filaire de cellules photovoltaïques par collage. Il s'agira de réaliser des mini-modules avec une interconnexion filaire optimum (adhésion, résistance de contact, rendement cellule après interconnexion, etc). Pour cela plusieurs équipements seront disponibles afin d'optimiser le procédé. La fiabilité de l'interconnexion étant un élément clé, elle sera évaluée notamment à travers des tests de cyclage thermique. Le travail se fera sur la plate-forme technologique modules photovoltaïques du CEA à l'INES. Axes de travail : - Mettre au point un procédé d'interconnexion filaire par collage - Minimiser les pertes électriques lors de la mise en module (CTM) liées à l'étape d'interconnexion des cellules- Améliorer la fiabilité de l'interconnexion filaire à l'aide des tests de vieillissement accéléré (cyclage thermique, test de fatigue, etc).

Synthèse d’alliages base silicium pour électrodes négatives d’accumulateurs Li-ion

LITEN/DEHT/SCGE/LCB

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mous

Ingénieur/Master

3371116

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : cedric.haon@cea.fr

Le silicium apparaît comme le matériau d'électrode négative le plus prometteur pour les batteries Li-ion. En effet, sa capacité spécifique théorique de 3579mAh/g lui permet d'être une alternative au graphite (372mAh/g) pour les applications à haute densité d'énergie. Cependant, il présente une expansion volumique pouvant atteindre près de 300% lors de l'insertion du lithium. Ces variations de volume conduisent à la pulvérisation des particules et à l'instabilité de l'interface solide-électrolyte (SEI), et donc à la dégradation des électrodes et à la chute rapide des performances électrochimiques au cours des cycles de charge-décharge.Des améliorations sont possibles en réduisant la taille des particules autour de 100nm afin de limiter la décrépitation mécanique [1] ou bien en développant des composites silicium-carbone avec des nanostructures complexes [2]. Ainsi, la structure des électrodes reste stable mais les phénomènes aux interfaces deviennent prépondérants et tous les critères de performances requis pour une densité d'énergie élevée ne sont plus respectés. La tendance actuelle pour envisager une application viable à moyen terme est de développer des structures avec des nano-domaines de silicium emprisonnés dans une matrice assurant conductivité ionique et électronique et limitant les surfaces d'interaction avec l'électrolyte. Pour ce faire, des procédés « hors équilibres » tels que la trempe sur roue [3] ou le broyage haute énergie [4] permettent de synthétiser des alliages métalliques avec les caractéristiques requises et des performances électrochimiques intéressantes. L'objectif de cette thèse est de développer la synthèse d'alliages à base de silicium par différents procédés tels que l'atomisation, la mécanosynthèse etc… en s'appuyant sur les compétences développées au DTNM pour la thermoélectricité. Le travail de stage proposé consistera, dans un premier temps, à réaliser des compositions existantes pour la thermoélectricité puis rechercher et synthétiser de nouveaux composés. Une optimisation morphologique et microstructurale pourra ensuite être effectuée en fonction des performances électrochimiques obtenues. L'interaction forte avec différentes équipes de recherche (à la fois côté batteries avec le DEHT/SCGE/LCB et matériaux DTNM/SERE/LTE) sera un des atouts importants pour la réussite de ce travail. 1] Liu X.H. et al, “Size-Dependent Fracture of Silicon Nanoparticles During Lithiation”, ACS nano, 6(2), 1522 -1531, 2012.[2] Wu H., Cui Y., “Designing nanostructured Si anodes for high energy lithium ion batteries”, Nano Today 7, 414-429, 2012.[3] Son S.B. et al, “A Highly Reversible Nano-Si Anode Enabled by Mechanical Confinement in an Electrochemically Activated LixTi4Ni4Si7 Matrix”, Adv. Energy Mater., 2, 1226 -1231, 2012.[4] Yu H.T. et al, “Electrochemical properties of Si/(FeSiB) anode materials prepared by high-energy mechanical milling”, Materials Science and Engineering B 178, 1422 -1428, 2013.

Electrode innovante pour mémoires émergentes

DTSI / SDEP /LDJ

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mois

Ingénieur/Master

3370233

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : rachid.hida@cea.fr

Cadre de la collaboration et contexte:L'émergence de nouvelles mémoires est liée à des concepts d'électrodes innovantes qui pourraient permettre de localiser les phénomènes de switch des matériaux impliqués. Les concepts visant à localiser un filament par exemple par la création d'une zone extrêmement réduite d'oxyde sous stœchiométrique sont peu manufacturables [1], tandis que les approches permettant de localiser ce filament en bord d'une électrode extrêmement mince à base de graphene (substituée à des métaux nobles) nécessite d'investiguer une croissance in situ du graphene [2]. Il existe donc une place pour investiguer des électrodes conductrices innovantes de faibles épaisseurs et qui puissent s'appliquer de manière la plus générique qui soit aux diverses familles de mémoires dès lors qu'on sait contrôler la continuité et les propriétés de ces couches aux fines épaisseurs Travail demandé :Ce travail visera à introduire des méthodes de croissance de type ALD CVD de matériaux métalliques conducteurs minces pour les comparer aux données disponibles sur le tungstène dans la gamme des fines épaisseurs. On étudiera notamment la sensibilité des propriétés électriques et physiques de ces couches fines en fonction des paramètres de croissance et on examinera leur capacité à supporter une exposition à l'air ainsi que leur sensibilité à l'exposition à des agents oxydants, comme ceux rencontré au cours de la croissance d'oxydes ou d'autres matériaux rencontrés dans l'intégration de RRAM. Il s'effectuera en relation avec des procédés de dépôt métallique disponibles à Crolles et les dépôts d'isolants disponibles au LETI. Le stagiaire disposera de dispositifs de test électriques simples permettant d'évaluer les propriétés des couches fines de métal en les corrélant avec des caractérisations physicochimiques (rugosité, taille de grain, caractérisation des interfaces), et en étudiant l'évolution en température de ces propriétés dans un process de type « back end » (température inférieure à 400°C). Ce travail permettra de déterminer les pistes d'optimisation de nouveaux procédés de dépôt métalliques minces et de leur intégrabilité (notamment passivation) dans la fabrication de mémoires résistives avancées. [1] Y. Hayakawa et al Highly reliable TaOx ReRAM with centralized filament for 28-nm embedded application; VLSI Symposium 2015[2] J. Sohn et al Atomically Thin Graphene Plane Electrode for 3D RRAM IEDM p.117 (2014)

Mise au point d’un procédé de transfert de circuits sur un substrat flexible.

DTSI/SSURF/LSJ

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mois

Ingénieur/Master

3361164

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : pierre.montmeat@cea.fr

Depuis une vingtaine d'année, l'électronique sur support souple connait un essor remarquable. Les applications sont variées : photovoltaïque, diodes organiques, capteurs biologiques pour les mesures in vivo, etc…Bien souvent, les dispositifs électroniques sur substrat souple de type organique sont construits pas à pas à partir du substrat flexible. Dans le cadre du stage, le CEA - LETI souhaite explorer une voie différente. Il s'agit de transférer le circuit actif déjà réalisé en technologie semi-conducteur classique (type CMOS silicium) sur le substrat flexible. Le stage va consister à mettre au point un procédé de transfert de film fin inorganique de quelques centaines de nanomètres sur un substrat souple organique. Dans un premier temps, on verra dans quelles mesures il est possible de transférer un film fin de silicium sans circuit actif sur un adhésif polymère. Le stagiaire devra mettre en œuvre des techniques de collage polymère ou moléculaire de façon à réaliser les étapes d'amincissement puis les transferts successifs des films fins. La sélection du matériau receveur (l'adhésif polymère) fera l'objet d'une attention particulière : on évaluera différents types de polymères en fonction de leurs propriétés d'élasticité et d'adhérence notamment. Un travail important de caractérisation des matériaux est également à envisager : morphologie, imagerie IR ou acoustique, DRX et XPS. Les travaux seront réalisés dans le cadre de la salle blanche du CEA-LETI.Le stage requiert des compétences en matériaux, procédés ou physico-chimie.

Développement de solutions de nettoyage après aplanissement mécano-chimique pour composants de microélectronique avancé

DTSI/SSURF/LSJ

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mois

Ingénieur/Master

3361163

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : cedric.perrot@cea.fr

Cadre de la collaboration et contexte :En créant l'innovation et en la transférant vers l'industrie, le Leti est un pont entre la recherche et la production des nanotechnologies. Ses 8,500m² de salle blanche de dernière génération permettent le traitement de plaquettes de 200 et 300mm pour développer des solutions en nanoélectronique pour des applications allant du spatial aux objets communicants. Dans ce contexte, un des principaux axes de recherche sur lequel se concentre le Leti est la réduction de la taille des composants tout en augmentant les fonctionnalités et les performances. Dans cette approche, un procédé critique est l'aplanissement mécano-chimique (CMP). Afin de développer des procédés CMP performants pour les technologies avancées, une attention particulière doit être accordée au nettoyage post-CMP. Dans ce cadre, un équipement industriel de polissage de dernière génération vient d'être installé dans la salle blanche du Leti avec un nouveau module de nettoyage. Travail demandé :Le stage a pour objectif d'étudier l'impact des paramètres du procédé de nettoyage sur la qualité des surfaces aplanies et de mettre en évidence les mécanismes d'interaction entre les défauts de polissage et les surfaces des matériaux étudiés.Durant le stage, l'étudiant sera formé sur l'équipement de polissage et aux différents procédés CMP. Il sera amené à :· Effectuer des études comparatives de solutions chimiques de nettoyage pour la préparation de surface avant collage direct associé à des technologies d'empilement de composant.· Optimiser les paramètres procédés du nouvel équipement de polissage ainsi que ses nouveaux modules de nettoyage. Le travail s'effectuera sur des composants industriels. Le candidat devra avoir une formation orientée matériaux et sera amené à collaborer avec du personnel de différents groupes.

Passivation d'interface de GaN pour application puissance et optique

DTSI/SDEP/LDJ

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mois

Ingénieur/Master

3361161

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : helen.grampeix@cea.fr

Le CEA-LETI travaille actuellement sur des dispositifs électroniques de puissance utilisés notamment dans les véhicules électriques. Les transistors à base de GaN doivent supporter de fortes tensions ainsi que des températures élevées, et fonctionner sans générer de courants de fuite parasites. Les couches de passivation requises pour isoler électriquement le GaN deviennent ainsi particulièrement critiques. L'état de l'art actuel privilégie le dépôt d'alumine Al2O3 par ALD (Atomic Layer Deposition), mais les traitements thermiques ultérieurs de la couche sont susceptibles d'amener des interactions avec le GaN et ainsi de modifier ou dégrader les propriétés électriques de l'interface isolant semi-conducteur. L'objectif de ce stage est d'optimiser les conditions de dépôt de couches d'isolation alternatives, comme des matériaux à base de SiO2 ou SiN déposés par voie PEALD, 1) Ce travail propose de faire dans un premier temps notre propre expertise de l'effet des différents procédés de dépôt d'alumine et de traitement thermique sur l'évolution de l'interface GaN/Alumine et de le comparer à de nouveaux procédés introduisant des passivations PEALD de type SiO2 puis SiN. 2) Les travaux seront couplés principalement avec des études de type XPS des interfaces (voire SIMS et TEM) en relation avec les équipes concernées, afin de caractériser le comportement physicochimique des surfaces de GaN en présence de ces passivations et recuits (formation ou non d'oxyde de gallium, silicates, diffusion d'espèces). 3) Les variantes significatives seront sélectionnées pour intégration sur lots électriques qui permettront de valider la qualité électrique des interfaces ainsi réalisés (notamment en termes de pièges électriquement actifs à l'interface, et le cas échéant, d'améliorer les procédés en vue de la réduction de la densité de ces pièges)

masques métalliques IBC HET

DRT/LITEN/DTS/SMCP/LHET

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

Ingénieur/Master

3359235

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : Oriol.NOSAGUILA@cea.fr

Host CenterThe research at LHET group at CEA-INES is dedicated to silicon based heterojunction solar cells, including the development of innovative solar cell concepts, devices characterization and industrial fabrication processes.MissionThe goal of the internship is the development of interdigitated back contact heterojunction (IBC-HET) solar cells based on the utilization of photolithography-free processes. IBC-HET technology currently holds the world record efficiency (25.6% by Panasonic) for a single junction silicon based solar cell. Therefore, there is a big interest in developing new processes for the localization of the different thin film materials on the IBC-HET solar cells back side as an alternative to the time consuming and costly photolithography techniques currently used. The candidate will work on the localized growth of doped and undoped amorphous silicon and transparent conductive oxides thin film layers through hard masks using PEVCD and Sputtering-PVD techniques. In parallel, the candidate will also explore the possibility of implementing the laser ablation technique to pattern such thin film materials in the fabrication process of IBC-HET cells.Candidate profileIdeally, the candidate is a last year student of a physics, chemistry or materials engineering (or equivalent) Bachelor of Science degree. The candidate should be fluent in English (French is a plus) and be familiarized with the basics of semiconductor materials. High motivation and teamwork spirit are fundamental. Poste basé sur le site du CEA au Bourget du Lac

Réduction des pertes non-radiatives et plasmoniques dans les Oleds "Top Emission"

DOPT/SCOOP/LCV

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

6 mois

Ingénieur/Master

3354923

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : benoit.racine@cea.fr

Situé sur le campus Minatec à Grenoble, le laboratoire "Composants pour la Visualisation" conçoit et développe des micro-displays (LED, LCD, OLED) ainsi que les systèmes optiques de visualisation pour des applications en réalité virtuelle (casques, épiscopes, systèmes "look-around") et augmentée (lunettes informatives, viseurs tête-haute). Le stage proposé consiste à améliorer le rendement d'extraction lumineuses sur des oleds "top emission" sur lesquelles le laboratoire LCV est un acteur mondialement reconnu. Pour cela le candidat investiguera deux voies. Dans un premier temps, il s'agira d'optimiser les pertes dites non radiatives liées à l'absorption des matériaux, notamment diélectriques, ou à la présence de couches d'interfaces. A cette fin, le candidat procédera à des caractérisations optiques (elliposmétrie, goniométrie) et physiques (TEM, RSRX) sur des véhicules de tests comprenant les matériaux effectivement présents dans les Oleds. Des voies d'optimisation seront proposées tant au niveau de la définition de l'empilement qu'au niveau des conditions de dépôt en relation étroites avec nos experts technologues. Ces propositions donneront lieu à la réalisation d'Oleds qui seront testées par le candidat. Dans un second temps, le candidat s'intéressera aux couches métalliques présentes dans l'empilement. Des caractérisations fines des propriétés optiques de ces couches seront menées avec des méthodes de type SPR (Surface Plasmon Resonnance) afin de consolider les modèles. Sur la base de ces données, le candidat proposera là aussi des pistes d'optimisation dont il aura la responsabilité de la mise en ?uvre. Le stagiaire évoluera dans une équipe pluridisciplinaire (matériaux, optique, technologie, système) sur une problématique présentant de forts enjeux industriels . Au niveau des compétences requises, il devra posséder de solides bases en physique des matériaux (techniques de dépôts en couches minces et méthodes de caractérisation) ainsi que des notions en photonique. Il bénéficiera d'un encadrement à la fois par un expert en technologies Oleds et un spécialiste en photonique (modélisation et caractérisation).CONTACT : RACINE Benoit 04 38 78 31 49

Caractérisation des performances d’un équipement thermique et définition des implications sur les propriétés matériau

DOPT/STM/LPFE

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

>= 3 mois

Ingénieur/Master

3354920

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : clement.lobre@cea.fr

Le département optronique (DOPT) du LETI est un laboratoire de référence dans le domaine de l'imagerie infrarouge (IR) quantique de hautes performances. Nous travaillons en étroite collaboration avec Sofradir, leader mondial dans la production de plans focaux IR hautes performances. Dans ce cadre, le laboratoire des procédés front-end (LPFE) développe de nouveaux procédés technologiques, sur des semi-conducteurs II-VI et III-V, pour répondre aux besoins des futurs produits. Une des étapes fondamentales pour un grand nombre de procédés technologiques concerne le traitement thermique du matériau (activation de dopant, correction de défauts cristallins, …). Une compréhension fine de cette étape et de son impact sur le matériau traité est cruciale pour la réalisation de dispositifs à l'état de l'art. L'objectif de ce stage est de déterminer les possibilités thermiques d'un équipement de recuit sous pression de vapeur contrôlé : homogénéité, domaine de pressions et rampes maximales accessibles. L'équipement se trouve au c?ur du procédé de réalisation des composants micro-électronique du laboratoire. L'étudiant réalisera donc l'ensemble des essais thermiques nécessaires au projet dans un environnement salle blanche. La finalité du stage est de permettre le lien entre les performances thermiques de l'équipement et la zone de travail accessible dans le diagramme de phase du matériau traité.CONTACT : LOBRE Clément04 38 78 51 67

OPTIMISATION DE LA PRÉPARATION DE LAMES MINCES PAR FAISCEAU D'IONS POUR LA MESURE DE CONTRAINTES A L'ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE

DTSI/SCMC

Matériaux - Matériaux

Grenoble

Région Rhône-Alpes (38)

1 an

Master Pro

3352717

Les candidatures doivent être adressées par email et sous forme d'un CV et d'une lettre de motivation détaillant les compétences à :
CEA Grenoble

17 rue des martyrs
38054 Grenoble
e-mail : nicolas.bernier@cea.fr

La mesure précise des contraintes à l'échelle nanométrique dans le microscope électronique en transmission (MET) est une nécessité pour relever les défis technologiques actuels du secteur de la microélectronique. Cette technique requiert cependant, sur la zone d'intérêt de l'échantillon, l'extraction d'une lame mince, d'épaisseur inférieure à 100nm, par pulvérisation ionique dans un microscope électronique à balayage (FIB-MEB). Les efforts déployés aujourd'hui se focalisent donc, pour les matériaux de nouvelle génération, sur l'optimisation de cette préparation dans le FIB-MEB afin d'obtenir la caractérisation la plus fiable et précise des contraintes et de la microstructure dans le MET.Les deux principales tâches affectées à l'étudiant seront: 1) Optimisation de la préparation de lames minces par FIB-MEB (conditions d'usinage, repérage des zones d'intérêt, épaisseur des lames, compréhension des contrastes observés en imagerie ionique...), 2) Observation conventionnelle par MET des lames minces (dimension et cristallinité des structures préparées, analyse de défauts...). Ces deux tâches seront appliquées sur deux problématiques matériaux de grande ampleur pour le LETI: les transistors à nanofils (stacked Gate-All-Around) du laboratoire LICL du DCOS et les structures InGaAs-GaAs épitaxiées sur Si du laboratoire LTM.Ce stage se déroulera sur la plateforme de nanocaractérisation (PFNC) du CEA Grenoble qui réunit sur 2200m2 une quarantaine d'équipements lourds de caractérisation au meilleur niveau international, opérés par 80 chercheurs et techniciens. La PFNC est un site unique en Europe qui donnera l'opportunité à l'étudiant d'être formé sur des équipements de haute-technologie, utilisés dans toutes les plus grandes entreprises de microélectronique telle que STMicroelectronics. Le savoir-faire et l'expérience acquis par l'étudiant lors de ce stage seront un atout majeur pour son intégration sur le marché du travail.

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